MTB3N120E مماثلة

  • MTB30N06VL
    • TMOS V power field effect transistor
  • MTB30P06V
    • TMOS V power field effect transistor
  • MTB30P06V
    • TMOS V power field effect transistor
  • MTB33N10E
    • TMOS E-FET high energy power FET
  • MTB36N06V
    • TMOS V power field effect transistor
  • MTB3N120E
    • TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
  • MTB3N120E
    • TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
  • MTB3N60E
    • TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount

MTB3N120E Datasheet والمضاربه

الصانع : Motorola 

التعبءه : DPAK 

دبابيس : 4 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 354 KB

التطبيق : TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount 

MTB3N120E تحميل PDF