MTB30N06VL مماثلة

  • MTB30N06VL
    • TMOS V power field effect transistor
  • MTB30P06V
    • TMOS V power field effect transistor
  • MTB30P06V
    • TMOS V power field effect transistor
  • MTB33N10E
    • TMOS E-FET high energy power FET
  • MTB36N06V
    • TMOS V power field effect transistor
  • MTB3N120E
    • TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
  • MTB3N120E
    • TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
  • MTB3N60E
    • TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount

MTB30N06VL Datasheet والمضاربه

الصانع : Motorola 

التعبءه : DPAK 

دبابيس : 4 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 175 °C

حجم : 288 KB

التطبيق : TMOS V power field effect transistor 

MTB30N06VL تحميل PDF