S8202 مماثلة

  • S8201
    • 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • S8202
    • 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

S8202 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF 

التعبءه :  

دبابيس : 8 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 40 KB

التطبيق : 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

S8202 تحميل PDF