المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > S8201
S8201 المضاربه : 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
S8201 Datasheet والمضاربه
الصانع : Polyfet RF
التعبءه :
دبابيس : 8
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 40 KB
التطبيق : 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
S8201 تحميل PDF