F2013 المضاربه : 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2013 مماثلة

F2012
- 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F2013
- 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2013 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه :

دبابيس : 4

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 41 KB

التطبيق : 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor