F2012 المضاربه : 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2012 مماثلة

F2012
- 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F2013
- 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2012 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه :

دبابيس : 2

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 40 KB

التطبيق : 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor