المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > F1209
F1209 المضاربه : 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > F1209
F1209 المضاربه : 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
الصانع : Polyfet RF
التعبءه :
دبابيس : 8
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 39 KB
التطبيق : 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor