المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > F1003
F1003 المضاربه : Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > F1003
F1003 المضاربه : Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
الصانع : Polyfet RF
التعبءه :
دبابيس : 4
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 40 KB
التطبيق : Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor