المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Philips Datasheet > PHW8N50E
PHW8N50E المضاربه : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHW8N50E مماثلة
- PHW80NQ10T
- 100 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHW80NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHW80NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHW80NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHW8N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHW8N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHW8N50E
- 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW8ND50E
- 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
PHW8N50E Datasheet والمضاربه
الصانع : Philips
التعبءه : TO247
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 98 KB
التطبيق : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHW8N50E تحميل PDF