المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Philips Datasheet > PHW80NQ10T
PHW80NQ10T المضاربه : 100 V, N-channel trenchMOS transistor
PHW80NQ10T مماثلة
- PHW80NQ10T
- 100 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHW80NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHW80NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHW80NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHW8N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHW8N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHW8N50E
- 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW8ND50E
- 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
PHW80NQ10T Datasheet والمضاربه
الصانع : Philips
التعبءه : SOT
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 105 KB
التطبيق : 100 V, N-channel trenchMOS transistor
PHW80NQ10T تحميل PDF