PHT4NQ10T مماثلة

  • PHT4NQ10LT
    • 100 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHT4NQ10T
    • 100 V, N-channel trenchMOS transistor

PHT4NQ10T Datasheet والمضاربه

الصانع : Philips 

التعبءه : SOT 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 386 KB

التطبيق : 100 V, N-channel trenchMOS transistor 

PHT4NQ10T تحميل PDF