المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Philips Datasheet > PHT4NQ10LT
PHT4NQ10LT المضاربه : 100 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Philips Datasheet > PHT4NQ10LT
PHT4NQ10LT المضاربه : 100 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
الصانع : Philips
التعبءه : SOT
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 175 °C
حجم : 381 KB
التطبيق : 100 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor