PHT4NQ10LT مماثلة

  • PHT4NQ10LT
    • 100 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHT4NQ10T
    • 100 V, N-channel trenchMOS transistor

PHT4NQ10LT Datasheet والمضاربه

الصانع : Philips 

التعبءه : SOT 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 175 °C

حجم : 381 KB

التطبيق : 100 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor 

PHT4NQ10LT تحميل PDF