المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Philips Datasheet > PHD18NQ10T
PHD18NQ10T المضاربه : 100 V, N-channel trenchMOS transistor
PHD18NQ10T مماثلة
- PHD10N10E
- PowerMOS transistor
- PHD10N10E
- PowerMOS transistor
- PHD11N03LT
- 30 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHD11N03LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD11N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHD11N06LT
- 55 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHD11N06LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD12N10E
- PowerMOS transistor
PHD18NQ10T Datasheet والمضاربه
الصانع : Philips
التعبءه : SOT
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 175 °C
حجم : 133 KB
التطبيق : 100 V, N-channel trenchMOS transistor
PHD18NQ10T تحميل PDF