المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Philips Datasheet > PHD11N06LT
PHD11N06LT المضاربه : TrenchMOS transistor. Logic level FET.
PHD11N06LT مماثلة
- PHD10N10E
- PowerMOS transistor
- PHD10N10E
- PowerMOS transistor
- PHD11N03LT
- 30 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHD11N03LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD11N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHD11N06LT
- 55 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHD11N06LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD12N10E
- PowerMOS transistor
PHD11N06LT Datasheet والمضاربه
الصانع : Philips
التعبءه : SOT428
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 175 °C
حجم : 83 KB
التطبيق : TrenchMOS transistor. Logic level FET.
PHD11N06LT تحميل PDF