المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Philips Datasheet > PHB9N60E
PHB9N60E المضاربه : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHB9N60E مماثلة
- PHB96NQ03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB98N03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB9N60E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHB9NQ20T
- N-channel TrenchMOS transistor
PHB9N60E Datasheet والمضاربه
الصانع : Philips
التعبءه : SOT404
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 45 KB
التطبيق : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHB9N60E تحميل PDF