PHB96NQ03LT مماثلة

  • PHB96NQ03LT
    • 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB98N03LT
    • 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB9N60E
    • PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
  • PHB9NQ20T
    • N-channel TrenchMOS transistor

PHB96NQ03LT Datasheet والمضاربه

الصانع : Philips 

التعبءه : SOT 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 175 °C

حجم : 322 KB

التطبيق : 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor 

PHB96NQ03LT تحميل PDF