المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Philips Datasheet > PHB7N60E
PHB7N60E المضاربه : 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB7N60E مماثلة
- PHB73N06T
- 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB78NQ03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB78NQ03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB7N60E
- 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB7N60E Datasheet والمضاربه
الصانع : Philips
التعبءه : SOT
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 100 KB
التطبيق : 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB7N60E تحميل PDF