PHB78NQ03LT مماثلة

  • PHB73N06T
    • 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB78NQ03LT
    • 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB78NQ03LT
    • 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB7N60E
    • 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated

PHB78NQ03LT Datasheet والمضاربه

الصانع : Philips 

التعبءه : SOT 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 175 °C

حجم : 321 KB

التطبيق : 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor 

PHB78NQ03LT تحميل PDF