MTW16N40E مماثلة

  • MTW10N100E
    • TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole
  • MTW14N50E
    • TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole
  • MTW16N40E
    • TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole

MTW16N40E Datasheet والمضاربه

الصانع : Motorola 

التعبءه : TO-247AE 

دبابيس : 4 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 238 KB

التطبيق : TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole 

MTW16N40E تحميل PDF