MTD3055V مماثلة

  • MTD3055EL
    • N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
  • MTD3055EL1
    • N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
  • MTD3055V
    • TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
  • MTD3055V
    • TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
  • MTD3055VL
    • TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
  • MTD3302
    • HDTMOS single N-channel field effect transistor

MTD3055V Datasheet والمضاربه

الصانع : Motorola 

التعبءه : DPAK 

دبابيس : 4 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 175 °C

حجم : 226 KB

التطبيق : TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount 

MTD3055V تحميل PDF