MTD3055EL1 مماثلة

  • MTD3055EL
    • N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
  • MTD3055EL1
    • N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
  • MTD3055V
    • TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
  • MTD3055V
    • TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
  • MTD3055VL
    • TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
  • MTD3302
    • HDTMOS single N-channel field effect transistor

MTD3055EL1 Datasheet والمضاربه

الصانع : Motorola 

التعبءه : 368-06 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 417 KB

التطبيق : N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V 

MTD3055EL1 تحميل PDF