المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Micro Electronics Datasheet > BD241B
BD241B المضاربه : 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Micro Electronics Datasheet > BD241B
BD241B المضاربه : 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
الصانع : Micro Electronics
التعبءه : TO-220B
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 106 KB
التطبيق : 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor