BD241 مماثلة

  • BD241
    • 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
  • BD241A
    • 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
  • BD241B
    • 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
  • BD242
    • 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
  • BD242A
    • 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
  • BD242B
    • 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor

BD241 Datasheet والمضاربه

الصانع : Micro Electronics 

التعبءه : TO-220B 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 106 KB

التطبيق : 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor 

BD241 تحميل PDF