S8550LT1 المضاربه : High voltage epitaxial silicon transistor(PNP). Power dissipation 225mW, Collector current 0.5A. Collector-base voltage 40V

S8550LT1 مماثلة

S8550
- Transistor(PNP). Power dissipation 0.625W, Collector current -0.5A. Collector-base voltage -40V
S8550LT1
- High voltage epitaxial silicon transistor(PNP). Power dissipation 225mW, Collector current 0.5A. Collector-base voltage 40V

S8550LT1 Datasheet والمضاربه

الصانع : WingShing

التعبءه : SOT-23

دبابيس : 3

درجة الحراره : دقيقة 0 °C | الاقصى 0 °C

حجم : 93 KB

التطبيق : High voltage epitaxial silicon transistor(PNP). Power dissipation 225mW, Collector current 0.5A. Collector-base voltage 40V