2SB507 المضاربه : PNP epitaxial silicon transistor. Low frequency power amplifier.

2SB507 مماثلة

2SB507 Datasheet والمضاربه

الصانع : WingShing

التعبءه : TO-220

دبابيس : 3

درجة الحراره : دقيقة 0 °C | الاقصى 0 °C

حجم : 27 KB

التطبيق : PNP epitaxial silicon transistor. Low frequency power amplifier.