BULD25DR مماثلة

  • BULD125KC
    • 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode
  • BULD25D
    • 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode
  • BULD25DR
    • 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode
  • BULD25SL
    • 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode

BULD25DR Datasheet والمضاربه

الصانع : Transys 

التعبءه :  

دبابيس : 8 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 741 KB

التطبيق : 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode 

BULD25DR تحميل PDF