المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > SANYO Datasheet > 2SK1961
2SK1961 المضاربه : N-channel junction silicon FET, high-frequency low-noise amp application
المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > SANYO Datasheet > 2SK1961
2SK1961 المضاربه : N-channel junction silicon FET, high-frequency low-noise amp application
الصانع : SANYO
التعبءه : 2019A
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة 0 °C | الاقصى 0 °C
حجم : 140 KB
التطبيق : N-channel junction silicon FET, high-frequency low-noise amp application