المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > SQ201
SQ201 المضاربه : 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
SQ201 Datasheet والمضاربه
الصانع : Polyfet RF
التعبءه :
دبابيس : 4
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 38 KB
التطبيق : 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
SQ201 تحميل PDF