SP702 مماثلة

  • SP701
    • 25 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • SP702
    • 40 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

SP702 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF 

التعبءه :  

دبابيس : 2 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 39 KB

التطبيق : 40 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

SP702 تحميل PDF