المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > SP201
SP201 المضاربه : "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
SP201 Datasheet والمضاربه
الصانع : Polyfet RF
التعبءه :
دبابيس : 2
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 37 KB
التطبيق : "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
SP201 تحميل PDF