المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > SM706
SM706 المضاربه : 135 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > SM706
SM706 المضاربه : 135 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
الصانع : Polyfet RF
التعبءه :
دبابيس : 4
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 40 KB
التطبيق : 135 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor