SM706 مماثلة

  • SM703
    • 80 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • SM704
    • 125 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • SM705
    • 150 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • SM706
    • 135 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

SM706 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF 

التعبءه :  

دبابيس : 4 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 40 KB

التطبيق : 135 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

SM706 تحميل PDF