SM401 مماثلة

  • SM401
    • 135 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • SM401
    • 135 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

SM401 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF 

التعبءه :  

دبابيس : 4 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 40 KB

التطبيق : 135 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

SM401 تحميل PDF