SH703 مماثلة

  • SH702
    • 90 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • SH703
    • 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

SH703 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF 

التعبءه :  

دبابيس : 4 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 40 KB

التطبيق : 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

SH703 تحميل PDF