P282 المضاربه : 5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P282 مماثلة

P282
- 5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P282 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه : SO-8

دبابيس : 8

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 42 KB

التطبيق : 5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor