P124 المضاربه : 4 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P124 مماثلة

P124
- 4 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P124 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه : SO-8

دبابيس : 8

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 36 KB

التطبيق : 4 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor