P123 المضاربه : 2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P123 مماثلة

P123
- 2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P123 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه : SO-8

دبابيس : 8

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 41 KB

التطبيق : 2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor