P121 المضاربه : 1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P121 مماثلة

P121
- 1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P121 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه : SO-8

دبابيس : 8

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 35 KB

التطبيق : 1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor