المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > LX802
LX802 المضاربه : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > LX802
LX802 المضاربه : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
الصانع : Polyfet RF
التعبءه :
دبابيس : 2
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 40 KB
التطبيق : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor