المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > LQ801
LQ801 المضاربه : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LQ801 مماثلة
- LQ801
- 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LQ801 Datasheet والمضاربه
الصانع : Polyfet RF
التعبءه :
دبابيس : 4
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 38 KB
التطبيق : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LQ801 تحميل PDF