المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > LP821
LP821 المضاربه : 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LP821 مماثلة
- LP821
- 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LP821 Datasheet والمضاربه
الصانع : Polyfet RF
التعبءه :
دبابيس : 2
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 38 KB
التطبيق : 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LP821 تحميل PDF