LP801 مماثلة

  • LP802
    • 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
  • LP801
    • 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LP801 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF 

التعبءه :  

دبابيس : 2 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 38 KB

التطبيق : 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

LP801 تحميل PDF