LP721 مماثلة

  • LP721
    • 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
  • LP722
    • 35 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LP721 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF 

التعبءه :  

دبابيس : 2 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 38 KB

التطبيق : 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

LP721 تحميل PDF