المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > LC801
LC801 المضاربه : 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LC801 مماثلة
- LC801
- 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LC801 Datasheet والمضاربه
الصانع : Polyfet RF
التعبءه :
دبابيس : 6
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 40 KB
التطبيق : 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LC801 تحميل PDF