المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > LB401
LB401 المضاربه : 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LB401 مماثلة
- LB401
- 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LB401 Datasheet والمضاربه
الصانع : Polyfet RF
التعبءه :
دبابيس : 4
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 41 KB
التطبيق : 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LB401 تحميل PDF