المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > L8821P
L8821P المضاربه : 5 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8821P مماثلة
- L8821P
- 5 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8821P Datasheet والمضاربه
الصانع : Polyfet RF
التعبءه : SO-8
دبابيس : 8
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 43 KB
التطبيق : 5 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8821P تحميل PDF