L8801P Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF 

التعبءه : SO-8 

دبابيس : 8 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 43 KB

التطبيق : 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

L8801P تحميل PDF