L8701P Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF 

التعبءه : SO-8 

دبابيس : 8 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 46 KB

التطبيق : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

L8701P تحميل PDF