المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Polyfet RF Datasheet > L225
L225 المضاربه : 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L225 مماثلة
- L225
- 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L225 Datasheet والمضاربه
الصانع : Polyfet RF
التعبءه : SO-8
دبابيس : 8
درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 41 KB
التطبيق : 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L225 تحميل PDF