F5001 المضاربه : 0.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F5001 مماثلة

F5001
- 0.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F5001 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه :

دبابيس : 2

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 40 KB

التطبيق : 0.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor