F3002 المضاربه : 300 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F3002 مماثلة

F3002
- 300 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F3002 Datasheet والمضاربه

الصانع : Polyfet RF

التعبءه :

دبابيس : 4

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 39 KB

التطبيق : 300 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor